宾夕法尼亚大学的科学家们近日发明出一种新的高密度，低功耗的锗锑碲(GeSbTe)合金纳米线相变存储器。 比当前大规模使用的闪存类和微硬盘类存储器的读取速度快1000倍并可使数据保存10万年！
当前的所有非易失性存储比如闪存，光盘和硬盘的存取速度对于像超高清晰DV这样对存储器的速度和容量都要求很高的产品来说已经不可能跟的上了。而这项技术将会促使诸如超高清晰DV这样对存储器的速度和容量都要求很高的产品的出现。
锗锑碲(GeSbTe)合金是一种可以在晶态和非晶体之间转变的合金，当前开始普及的DVD-RAM（光硬盘）的记录介质就是它。不同的是在DVD-RAM中是激光来完成导电晶态和非导电非晶态之间的转换，而在PRAM中是电流来完成的。 和闪存一样，由于可以多路同时操作，PRAM的速度远远超过任何DVD-RAM。
里特西 阿加沃 （宾夕法尼亚大学材料科学和工程学助理教授）和同事们使用自组装技术而不是传统的多层印刷电路制造方式，在较低温度和纳米金属催化剂氛围下反应生成直径30-50纳米，长10微米的锗锑碲(GeSbTe)合金纳米线，然后用这些纳米线在硅基材上制造存储器
对原型的测试结果显示极低的操作功耗0.7mW/bit. 数据存取时间50纳秒，比闪存快1000倍。数据保存时限大约10万年。这项技术将可以实现闪存大小的TB级存储器。
阿加沃：“相变存储器将会改变人们的IT生活，而我们的这种原子尺度纳米级相变存储器，使用的是自组装技术，我们已经接近把电控非易失相变存储器件做到尺寸极限了。”
这项研究成果将发布在10月的自然杂志，纳米技术版。
译稿 原始地址：http://www.sciencecodex.com/nanoscale_memory_gets_data_1_000_times_faster
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