日本东京大学的科学家宣布他们研制出了一种新的Flash闪存,可以减少我们对数据安全性的担心,这种名叫ferroelectric Nand Flash (FNF)的闪存可被重复擦写1亿次,而目前的闪存寿命大约为50万次.

　　这种芯片基于10纳米技术制造,而目前的Flash则为30纳米,这可以有效提升存储密度,并且读写所需的电力也更少.

　　但目前尚不了解什么时候才能看到运用此种技术的商品出现.

　　Current Flash chips are estimated to have a useful lifetime of around a decade

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